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在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响。研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响。在40tort的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长。压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因。在同样的Ar含量下,在5torr下的C2活性基团的浓度高于40tort的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长。