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对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析，并研究了各自的温度特性，在此基础上，设计并研制出一种多晶硅发射极低温频低声晶体管，其等效输入噪声电压Ｖｉｎ＜１０ｎＶ／√Ｎｚ。
硅低温低频低噪声双极晶体管的分析与设计
【摘 要】
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对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析，并研究了各自的温度特性，在此基础上，设计并研制出一种多晶硅发射极低温频低声晶体管，其等效输入噪声电压Ｖｉｎ＜１０ｎＶ／√
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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