场限制环相关论文
提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性......
本文从实验的角度研究了具有场板和场限制环的P^＋N二极管的击穿特性，给出了场环至主结的最佳间距与衬底浓度和结深的关系曲线，并从物......
场限制环作为一种可与许多器件工艺相容的ＰＮ结终端得到了广泛应用。存在的一个问题是其效果随结构参数有过分敏感的变化。......
提出一种二氧化硅／多晶硅／二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压，模拟结果显示，该结构可以使射频功率双极性晶体管的......
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