影响Langmuir-Blodgett膜中缺陷畴区的因素

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采用扫描电子显微镜(sEM)和荧光显微镜研究了基片种类、温度、制膜参数(如Langmuir—Blodgett膜沉积压、压膜速度、提膜速度等)和LB膜层数对LB膜中缺陷畴区的影响及其对尿石矿物——水草酸钙(COM)晶体生长的指导作用.LB膜中的缺陷畴区可以诱导圆形COM沉积图形形成,但在石英基片上的图形数量只有云母基片上的5%左右.制膜温度由25℃降低至18℃时,出现非圆形COM沉积图形,尺寸亦有增大的趋势.随着沉积压从2mN/m增大到10mN/m,云母基片上圆形COM晶体沉积图形数量减少,沉积图形尺寸趋于
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