【摘 要】
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采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒（VO2-x）薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（A
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采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒（VO2-x）薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对薄膜中钒的价态与组分、薄膜结晶结构和表面微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量。结果表明：新制备的低价态氧化钒薄膜以V2O3和VO为主,经过300℃低温热氧化处理后,薄膜中出现单斜金红石结构的VO2相,薄膜具有金属-半导体相变特性 薄膜表面颗粒之间存在间隙,利于氧的渗入 在300～320℃
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