低温热氧化相关论文
为了获得性能良好的SiGeMOSSiO2栅介质薄膜,探索用低温热氧化工艺制作SiGeMOS栅介质,本文给出了实验结果,显示SiGe材料的氧化与硅......
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采......
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒（VO2-x）薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光......
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了......
