【摘 要】
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以正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在Fe Si Cr软磁合金表面包覆上SiO2壳层。对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的Fe
【机 构】
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清华大学深圳研究生院信息功能材料与器件实验室,深圳顺络电子股份有限公司
【基金项目】
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深圳市基础研究学科布局项目（JCYJ20150827165038323,JCYJ20160301154309393）,国家重点研发计划项目（2017YFB0406300）
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以正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在Fe Si Cr软磁合金表面包覆上SiO2壳层。对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的Fe Si Cr/SiO2软磁复合材料。通过XRD、FTIR、XPS、SEM等手段对包覆粉末的相结构、成分及表面微结构进行表征,通过四探针电阻仪、B-H分析仪等对复合材料电阻率、磁导率、功率损耗、品质因数等性能参数进行研究。结果表明:通过SiO2绝缘包覆处理可大幅度提高FeSiCr软磁合金电阻率,降低高频下功率损耗,提高材料品质因数;随着TEOS添加量提高,包覆效果及材料性能呈现先提升后恶化的趋势,添加量为12 m L时,软磁复合材料综合性能最佳。
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