论文部分内容阅读
分析了影响BiCMOS全摆幅输出和高速度的因素,探索了一种新的抑制BJT过饱和和反馈网络,提出了具有高速全摆幅输出的BiCMOS逻辑单元。该单元可以工作于1.5V,并且易于多输入扩展,它特别适于VLSI设计。模拟结果表明,该单元实现了优于CMOS的全摆幅输出,且其速度高于同类CMOS电路10倍以上。