双栅结构相关论文
有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)可通过低温溶液法/印刷工艺加工,具有良好的机械柔性,适合耐热性差的塑料......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱......
本文针对原有交错双栅结构输入输出系统较复杂的缺点,设计了一种新型宽频带交错双栅输入输出结构,该输入输出结构具有长度较短,易......
本文介绍了双栅a-IGZO TFT的制备,并对其电学特性进行了研究.测试结果显示,双栅a-IGZO TFT较单栅器件具有更大的驱动电流,更高的载......
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在“电流崩塌”现象。新制备了一种具有叠层双栅结构的AlGaN/......
作为开关元件和驱动电路,非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)被广泛应用于有源矩阵液晶显示领域。本文对a-Si:H TFT电学特性进行系统研究;基于......
ZnO-TFT近些年来被发现具有一系列优点,如透光性高、导电性高、光敏性低、制作成本低、温度低等特点,被认为是最有可能取代现代大规......
具有特殊结构的双栅MOSFET是一种高速度、低功耗MOSFET器件,符合未来集成电路发展的方向。文章介绍了多种双栅MOSFET的结构、优点,以及近年来国内外对双......
通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元。该单......
提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah......
随着我国军事工业与航空航天技术的飞速发展,越来越多的电子设备要在各种辐射环境中应用,但是在宇宙空间、核试验的环境下,存在着......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通......
在平板显示领域,ZnO-TFT因载流子迁移率高、制备温度低、化学稳定性好、大面积制备均一性好、可见光透过率高等优点而备受人们关注......