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ＰｔＳｉ肖特基二极管的势垒高度制约ＰｔＳｉ红外探测器的截止波长和是子效率。在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面注入Ｉｎ＾＋、Ｂ＾＋，采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应。用Ａｒ气保护热处理消除注入损伤，附加掩膜层控制离子注入深度，成功地将ＰｔＳｉ肖特基二极管的势垒高度降低到０．１５ｅＶ。
离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度
【摘 要】
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ＰｔＳｉ肖特基二极管的势垒高度制约ＰｔＳｉ红外探测器的截止波长和是子效率。在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面注入Ｉｎ＾＋、Ｂ＾＋，采用高浓度、浅层注入避免隧穿效应。用Ａｒ气保护热处理消除注入损伤，附加掩膜层控制离子注入深度，成功
【机 构】
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电子科技大学信息材料工程学院,重庆光电技术研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年10期
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