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对 InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT 在不同偏置条件下的电离总 剂量效应.使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了InP DHBT 的Gummel和输出 I-V 参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明:将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.