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采用不同注量和注入顺序的ＭｅＶ能量的Ｐ＾＋（３ＭｅＶ，１×１０＾１４～３×１０＾１４ｃｍ＾－２）与ＭｅＶ能量的ＳＩ＾＋（３ＭｅＶ，１×１０＾１４ｃｍ＾－２）共注入于ＳＩ－ＬＥＣ ＧａＡｓ晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明，较大注量的Ｐ＾＋与Ｓｉ＾＋共注入，可以降低注区薄层电阻，有效地提高ＭｅＶ Ｓｉ＾＋的激活效率