MeV P^+/Si^+共注入SI—GaAs制备高品质n^+埋层

来源 :北京师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:surezheng12345678
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采用不同注量和注入顺序的MeV能量的P^+(3MeV,1×10^14~3×10^14cm^-2)与MeV能量的SI^+(3MeV,1×10^14cm^-2)共注入于SI-LEC GaAs晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余缺陷等进行了分析。研究表明,较大注量的P^+与Si^+共注入,可以降低注区薄层电阻,有效地提高MeV Si^+的激活效率
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