【摘 要】
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提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京100029,北京100029
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提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷离子注入实现的,并与n+前栅多晶硅直接相连.这项技术与体硅工艺完全兼容.通过Tsuprem4和Medici模拟,发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽SOI nMOSFET的优势,消除了反常亚阈值斜率和kink效应,同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性.
A new fully depleted SOI planar dual-gate nMOS field-effect transistor is proposed, and the device structure, the corresponding technology and working mechanism are simulated and discussed.For nMOS devices, the back gate n-well is fabricated by the dose of 3 × 1013cm- The energy is 250 keV phosphorus ion implantation and is directly connected to the n + front gate polysilicon.This technology is fully compatible with bulk silicon process.Through the Tsuprem4 and Medici simulation, we found that the fully depleted SOI planar dual-gate dynamic threshold nMOSFETs maintain the traditional full The depletion of the SOI nMOSFETs eliminates the subthreshold threshold anomalies and the kink effect, while offering superior current-driven capability and transconductance characteristics over conventional fully depleted SOI nMOSFETs.
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