MIS(Au—SiO2—Si)隧道发光结

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jack0418
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在研究一般MIM(Al-Al2O3-Au)结的基础上,为了克服Al的不稳定性和改善结的性能,我们采用半导体材料Si代替Al,研究成功MIS隧道结,观察到了稳定的发光现象。介绍了MIS结的基本结构帮工艺流程,分析了结中SPP的各个模式,讨论了结的发光光谱,阐明了MIS结的发光机理。
其他文献
在熔化极气体保护焊(Gas metal arc welding,GMAW)过程中,当熔滴过渡转变为旋转射流过渡时,电弧不稳,焊缝成形变差。在Q235低碳钢上开展工艺试验,探究焊接过程中产生的飞溅和
我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源,为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构
日本人和月历烟台师范学院周昌松日本民族是一个酷好月历的民族。据调查,日本每年印刷月历三亿本,平均每个家庭拥有6.9本。而在大城市居民中,平均每户多达10本,可以说是日本的“一多”
借助于电学测量和低温红外分析技术,研究了微氮硅单昌中新施主的形成特性在650℃长时间热处理后,微氮硅单晶不产生新施主,其中氮破坏了新施主的可能形核中心。低温450℃预退火能促进新
采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)工艺获得了铁电PbZr0.53Ti0.47O3(PZT)薄膜的微细图形。研究了用CHF3气体在不同射频功率和气体流量下PZT薄膜,Pt和AZ1450J光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律。原子力显微镜(AFM)结果表明,获
采用氩弧重熔技术对大气等离子喷涂Fe基涂层进行了重熔处理,分析了重熔前后涂层的显微组织和力学性能。结果表明,重熔后Fe基喷涂层的层状结构以及气孔、未熔颗粒、夹杂物基本
本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析,提出了CCl2F2/O2混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理:在一定功率下,CCl2F2离解出大量的CFx粒子和Cl粒子,在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Si原子反应生成挥
采用铸轧法制备了铜铝复合板,利用光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪等分析手段考察了界面微观形貌和物相成分,分析了轧制和退火过程中界面的演变过程。结果表明,热处理过程