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阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术，包括IGBT器件的特点，IGBT背面FS层的设计技术，IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后，背面硼离子注入之前，用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率，实现背面FS层的高精度控制。
外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术分析
【摘 要】
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阐述外延片FS-IGBT背面发射结注入效率一致性的控制技术，包括IGBT器件的特点，IGBT背面FS层的设计技术，IGBT产品工艺流程设计。探讨在FS-IGBT背面减薄之后，背面硼离子注入之前，用四探针测试芯片背面方块电阻来控制背面发射结发射效率，实现背面FS层的高精度控制。
【机 构】
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集成电路应用
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2023年07期
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