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采用射频磁控反应溅射法制备a—Si／SiN。超晶格薄膜材料，热退火后形成纳米Si晶粒。把nc—Si／SiN，薄膜作为饱和吸收体插入Nd：YAG激光器腔内，在腔长较短时，实现1．06μm激光的被动调Q运转，获得最小脉宽23ns的调Q单脉冲输出，当腔长增加到124cm时，获得平均脉宽35ps的锁模脉冲序列。根据实验现象结合薄膜结构，分析了材料调Q与锁模的产生机制，并研究了不同工作条件下的调Q输出性能。