【摘 要】
：
通过HECK法共聚将腈基引入聚对苯乙烯（PPV）的共轭支链,得到聚合物DiCN-PPV.通过核磁共振（1H-NMR）、质谱（MS）、元素分析及GPC确定了组成和分子量.探索了聚合反应时间和温度对聚合物
【机 构】
：
中国矿业大学（北京）化学与环境工程学院
论文部分内容阅读
通过HECK法共聚将腈基引入聚对苯乙烯（PPV）的共轭支链,得到聚合物DiCN-PPV.通过核磁共振（1H-NMR）、质谱（MS）、元素分析及GPC确定了组成和分子量.探索了聚合反应时间和温度对聚合物分子量及产率的影响.结果表明,该聚合物具有较高的热稳定性（Td＞247 ℃）,在100 ℃反应62 h可以得到产物分子量Mn=1.76×10^4,分散度Pd=1.9,产率50%.以紫外吸收光谱及荧光光谱分析了该聚合物溶液及其膜的基本光谱特征,表明DiCN-PPV中D-A（Donor-Acceptor
其他文献
针对纳秒量级荧光寿命的测量，提出一种改进的相调制法，提取周期性激发信号和相应的发射波形信号傅立叶级数中的一级项，按照相位法测量荧光寿命的原理求得荧光寿命T值。据此采用
测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe／ZnS量子点在室温到近溶液沸点温度间的吸收与光致发光光谱，比较了两种不同的CdSe／ZnS量子点的光谱特性，讨论了温度对吸收和光致发光光
利用等离子体化学气相沉积技术在100℃的衬底温度下，制备了具有不同组分比的系列非晶碳化硅薄膜。结合傅里叶变换红外光谱与喇曼光谱对所制备的薄膜微结构进行了表征与分析，同
CdS是一种直接带隙半导体，室温下其禁带宽度约为2．4eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和（NH2）2Cs作为镉源和硫源，用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄
利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列，通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征，并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明，选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状，两
报道了倒装焊InGaN蓝光LED与黄光cdTe纳米晶的复合结构。利用蓝光作为CdTe纳米晶的激发源，通过光的下转换机制，将部分蓝光转化为黄光，复合发射出白光。室温下正向驱动电流为10mA
以正硅酸乙酯（TEOS）和有机荧光染料（Calcein等）为原料，采用溶胶-凝胶（Sel-gel）法制备了有机／无机复合荧光粉。探讨了有机染料的掺杂浓度、反应体系pH值、H2O与TEOS的比值等控制参数对
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属（MSM）结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO
用由铜靶激光等离子体光源等组成的反射率计对自行设计的周期厚度为7．14nm的120层Mo／Si多层膜进行极紫外（EUV）波段反射率测量。由于多层膜层数增加所引起的吸收、膜层界面之间的
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层