【摘 要】
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由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材.用激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L-MBE))工艺,采用这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量
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由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材.用激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L-MBE))工艺,采用这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量的ZnO半导体光电子薄膜.研究了ZnO高纯陶瓷靶材的烧结机理、微观结构及形貌,认为靶材的后期烧结速率主要决定于氧空位扩散机制.根据辐照后靶材的电镜分析结果,对L-MBE工艺中靶材表面与脉冲激光相互作用过程中等离子体羽辉的形成过程及其动力学特征进行了研究,认为该等离子体羽辉是激光支持的燃烧波,其波前传
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