氧化锌陶瓷相关论文
本研究以锌粉为原料,在催化剂存在下,利用氧化法制备一种超级氧化锌微波吸收材料。这种材料的形态呈花蕾状,在频率为2.45GHz时,它有优......
目前主要依靠压敏电阻静态参数大致判定MOV 型SPD 的老化劣化,但该类参数并不能及时的反应压敏电阻老化劣化的具体程度.根据氧......
非线性氧化锌陶瓷是由氧化锌晶粒和在烧结过程中形成的尖晶石、富Bi[*v2*]O[*v3*]相所组成。这些形成相,尤其富Bi[*v2*]O[*v3*]相的......
文章对氧化锌避雷器的特性参数、氧化锌避雷器的能量吸收能力、长期运行电压下的稳定性、预期寿命等进行了综述与探讨。以500千伏......
要制造氧化锌避雷器,关键是要制造具有良好特性的氧化锌电阻片。这种电阻片是由氧化锌加多种金属氧化物,经磨细、混合均匀成型后烧结......
该文研究了不同组份的Nd[*v2*]O[*v3*]、GeO[*v2]、Cd[*v2*]O[*v3*]、Sm[*v2*]O[*v3*]等多种稀土元素对氧化锌电阻片特性的影响。......
该文主要讨论利用不同频率微波来结氧化锌陶瓷,比较其烧结后陶瓷体显微结构、电性之差异。该研究是利用不同频率(24GHz、2.45GHz)微......
着重研究氧化锌非线性电阻材料配方、烧成温度等工艺,目的在于研究氧化锌瓷性能提高的途径。通过分析得出,适量加入添加剂MgO、SRCO[......
ZnO陶瓷是一种原料广泛、价格低廉、环境友好,具有良好的化学和热学稳定性的多功能氧化物材料,又由于ZnO陶瓷具有优异的电学性能,因此......
本文通过传统的陶瓷工艺在较低的温度(<1000oC)下制备了四种不同体系的以ZnO陶瓷为基体的ZnO陶瓷/Ag复合材料。主要考察和讨论了四......
研究了Cu-ZnO陶瓷键合技术,并探讨了其作为电极用在线性ZnO陶瓷电阻器上对器件性能的影响,运用扫描电镜对Cu-ZnO陶瓷的键合结构进行了分析,测量了键合......
报道了Nb_2O_5含量及原料初始粒度大小的微小变化对以ZnO为基的陶瓷伏—安特性和通流能力共同产生的影响.作者发现,添加含量为0.2%......
以氧化锌半导体陶瓷的微观模型为基础,分析影响氧化锌压敏电阻器固有电容量的各种因素,重点分析如何控制氧化锌压敏电阻器固有电容......
采用籽晶法研制低压敏电压的ZnO陶瓷,研究了ZnO陶瓷的制备工艺,测试了材料的微观结构。考查了原料种类对ZnO陶瓷电学性能的影响,并进行了ZnO压敏陶......
在大气中成功地用快速凝固Sn基活性钎料低温连接ZnO陶瓷,接头的剪切强度明显高于用普通凝固钎料的最高达60Ma。......
本文通过水热法制备了ZnO粉体,着重研究了在水热条件下影响ZnO粉体晶粒粒度和形貌的主要原因.研究表明,在相同浓度条件下,反应温度......
主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响.结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1m,......
本文研究了Nb2O5掺杂以及Nb2O5与ZnO煅烧时ZnO压敏电阻器电性能的影响,实验表明,Nb2O5的掺入使压敏电压减少,当Nb2O5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小,非线性系数最大。煅烧......
描述了低压直流可控硅电力断路器的性能及整体尺寸.认为其性能和整体尺寸是由回路切断的方法而决定.氧化锌陶瓷能量吸收器除了用于......
本文综述国外近十年来对ZnO非线性电租的微观结构和物相转变研究的概况和结果,阐述了ZnO陶瓷的微观结构与其电气特性的关系.......
综述了近来国内外提高ZnO压敏电阻片能量耐受能力的方法和途径,其中改善ZnO电阻片的结构均匀性和万分均匀性是提高能量耐受能力的关键,电流......
采用两面磨薄试样的方法,研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强与E1mA与厚度的关系,得到了击穿中场强E1mA随厚度变化的几何效应规......
分析了实际生产中对ZnO压敏电阻器的漏电流爬坡产生影响的主要因素,提出了解决漏电流爬坡的措施,为ZnO压敏电阻器的生产提供了一定的理论依......
本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理。测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD,SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变......
水热条件下制备超细微晶是一个晶体生长的过程。本文根据晶粒形态与水热介质碱度强弱之间的关系,揭示了不同形态的ZnO的形成机理,实现了......
氧化锌陶瓷电阻器是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体,无高阻晶界层,具有线性的电压-电流特性,电阻率可调,电阻温度系数小且为正,耐......
研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性.结果表明:低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品......
ZnO压敏陶瓷在工作电压施工和下,会产生电流蠕变现象,使Schottky势垒不稳定,用正电子湮没技术(PAT)证实:ZnO的适当温度下的氧化热处理,使氧离子O呈O^2-吸附于晶界......
本文研究了烧结温度和成型压力对氧化锌陶瓷密度及超声波传播速度的影响.试验结果表明,随着烧结温度提高,超声波在氧化锌陶瓷中的......
通过Rietveld合谱拟合对掺杂多物相ZnO陶瓷的物相定量组成,所含尖晶石相的化学配比、晶粒大小和残余应和等结构参数同时进行了表征,即快又准,研究......
ZnO陶瓷线性电阻是一种新开发的电气元件。它的电阻率可高范围宽,电阻温度第料小,且可以呈现在的电阻温度系数,耐受能量大,且有较高的可靠......
本文研究了少量MgO,La2O3,ZrO2等对ZnO陶瓷线性电阻材料晶粒生长速度和最终晶粒尺寸的影响规律,以及极微量掺杂Li2O对晶粒和晶界电阻率的影响规律,实验表明......
本文综述了工业级氧化锌精制为电子陶瓷用氧化锌的方法及共用化学合成制备氧化锌压敏电阻多元复合粉体的研究进展。......
本文实验研究了ZnO压敏陶瓷击穿、非线性指数α和脉冲大电流冲击后击穿场强ElmA变化率的几何效应。对ZnO晶粒尺寸的统计分析表明它基本服从正......
对用纳米粉体制备的ZnO压敏生坯进行了微波烧结,通过XRD、SEM分析和电性能测试,与普通烧结比较,微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷,显著缩短绕结时间......
本文简要回顾了ZnO压敏陶瓷的历史,阐述了ZnO压敏陶瓷的特点以及当前ZnO压敏陶瓷基础性研究的现状,最后对其进展进行了展望。......
本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法,系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ZnO压敏陶瓷非线性方面的作用,并根据金属阳离子外壳层电......
为了满足在高电压状态下对氧化锌陶瓷(ZnO)元件的检测需要,研制了一种基于脉冲变压器和脉冲形成网络(PFN)的,输出电压范围10-80kV可调,......
通过对ZnO陶瓷中晶粒的生长发育过程的详细研究,结果发现烧成初期,在较大粉粒与较小粉粒间表面能差的作用下,首先形成许多原始ZnO粉粒降集体......
研究了ZnO晶籽大小、掺入是及烧成制度等对压敏陶瓷低压化的影响。分析了低压压敏陶瓷工艺技术的关键问题。......
由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材.用激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L-MBE))工艺,采用这种靶材......
从可靠性基本理论出发,提出老化速率的概念,对老化试验数据进行处理,认为老化其实是一个磨合、逐渐稳定的过程,而非耗损过程。从电......
研究了湿法合成ZnO陶瓷样品的结构及缺陷对材料电性能的影响。结果表明,湿法合成的ZnO材料是由主晶相ZnO、尖晶石相和富Bi液相组成......
通过传统的陶瓷工艺在较低的温度(<1000℃)下制备了以ZnO陶瓷为基体的ZnO陶瓷/Ag复合材料. 主要考察和讨论了其电学性能及相关问题......
研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结......