【摘 要】
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用质子激发X荧光分析和扫描电子显微镜与切片技术相结合对能量为 2 0 0keV的钒离子注入花生后的浓度 -深度分布进行了测定 ,注入剂量为 9× 10 16/cm2 。结果显示 ,钒离子注
【机 构】
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用质子激发X荧光分析和扫描电子显微镜与切片技术相结合对能量为 2 0 0keV的钒离子注入花生后的浓度 -深度分布进行了测定 ,注入剂量为 9× 10 16/cm2 。结果显示 ,钒离子注入花生后的浓度 -深度分布与离子注入金属、半导体中的分布有明显的差异 :离子的射程歧离很大 ,少数离子的射程延伸到很深的区域。这种分布特征可能与植物种子具有疏松的结构有关。
The concentration-depth distribution of vanadium ion-implanted peanuts with an energy of 200 keV was determined by proton-induced X-ray fluorescence analysis and scanning electron microscopy (SEM) combined with sectioning technique. The implantation dose was 9 × 10 16 / cm 2. The results show that the concentration-depth distribution of vanadium ion-implanted peanuts is obviously different from that of ion-implanted metals and semiconductors. The range of ions is greatly divergent and the range of few ions extends to deep regions. This distribution may be related to the loose structure of plant seeds.
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