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研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV／CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下，得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点，用AFM对量子点的形貌进行观察，Ge量子点尺寸的涨落小于±3％，量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm，密度为8×10^9cm^-2。实验结果表明，通过预淀积硼表面处理，可以得到尺寸分布很窄的量子点，以满足量子点光电器件方面应用的要求。