【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B, Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶. 利用荧光光谱、 IR, XRD, DSC, TG/DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响. 经500 ℃以上退火
【机 构】
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西北大学光子学与光子技术研究所,西北大学化工学院,西北大学光子学与光子技术研究所,西北大学光子学与光子技术研究所
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采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B, Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶. 利用荧光光谱、 IR, XRD, DSC, TG/DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响. 经500 ℃以上退火处理用248 nm激发的样品, 产生Eu3+离子5D0→7FJ的特征发射, 5D0→7F1的跃迁分裂为两个峰. 比较615 nm处的发光强度, 掺硼酸样品的发光强度是不加硼酸发光强度的3.3倍. 这是因为B离子的加入, 在材料中形成了Si-O-B键, 破坏了网络的对称性, 加强了Eu3+的红光发射. 当退火
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