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本文提出全新的半经验应变Si NMOS反型沟道电子迁移率模型，此模型考虑了晶格散射，离化杂质散射，表面声子散射，界面电荷散射以及界面粗糙散射等散射机制对反型沟道电子迁移率的影响，并考虑了反型层电子的屏蔽效应。利用Matlab软件对所建模型进行了模拟，模拟结果与实验数据符合较好。
应变Si／SiO2界面对NMOS沟道电子迁移率的影响研究
【摘 要】
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本文提出全新的半经验应变Si NMOS反型沟道电子迁移率模型，此模型考虑了晶格散射，离化杂质散射，表面声子散射，界面电荷散射以及界面粗糙散射等散射机制对反型沟道电子迁移率的影
【机 构】
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陕西学前师范学院基建处
【出 处】
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通讯世界
【发表日期】
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2016年2期
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