应变SI相关论文
采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[00],[100]及[0......
基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)......
在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建......
本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动......
提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFE......
应变硅衬底材料--弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响.综述了近年来用于纳米CMOS电路......
应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张......
基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特......
生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变SiPMOSTET可以得到非常好的性能。在讨论分析了应变SiPMOSF......
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善，在总结了与工艺致单轴应变相比衬底......
提出了一种应变Si／SiGe异质结CMOS结构，采用张应变Si作n-MOSFET沟道，压应变SiGe作p-MOSFET沟道，n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构，二......
在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结......
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和......
用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱......
采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了（101）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明：[001],[00],[100]及[00]......
应变硅衬底材料——弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础，其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响。综述了近年来用于纳米CMOS电......
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题（〉1μm）,采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出......
应变Si是一种能在未来保持SiCMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料．本文结合SOI技术，利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的......
应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入应变,利用Si和SiGe晶格常数差异产生压应变或张应变,从而提高了载流子迁移率。......
基于K.P理论框架,通过引入应变哈密顿微扰项,详细推导并建立了应变Si的价带色散关系模型.所得模型适用于任意晶向弛豫Si1-xGex(0≤......
采用kp微扰理论，基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，对（101）晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研......
自微电子工艺进入纳米尺寸以来，应变技术就以其对材料迁移率的显著提升成为了业界关注的焦点。目前源漏诱生应变Si沟道n-MOSFET尚处......
应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,本文从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,......
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示......
用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界......
LDMOS器件相比其它功率器件,具有高可靠性,高线性度,高增益等优良电学特性。这些优点使LDMOS成为射频功率器件领域的研究热点。随......
随着Si基器件特征尺寸减小、电路集成度和复杂性增强，出现的一系列涉及材料、器件物理、器件结构和工艺技术等方面的新问题，以及由此......
随着体硅CMOS技术的发展,需要从材料选用、器件结构以及加工技术等各个方面进行创新,其中以应变硅为代表的沟道高迁移率增强技术,......
应变Si和应变SiGe由于其优越的电学性能并与传统的Si工艺兼容，为摩尔定律的延续提供了一种新的研究方向。在制造集成电路的过程中，工......
Si基应变技术通过在体Si器件中引入应力来增强器件性能，且可与传统硅工艺技术相兼容，尤其是单轴应变技术已被成功应用于90、65、45nm......
应变Si材料迁移率高、能带结构可调,且其应用与Si工艺兼容,是当前国内外关注的研究发展重点,在高速/高性能器件和电路中有广阔的应......
应变Si具有迁移率高、能带结构可调的优点,且能与传统的体Si工艺兼容,在目前的集成电路产业中,应变Si/SiGe异质结构的器件和电路已......
