微波晶体管噪声系数的一种简化方法

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将晶体管的噪声理论应用于微波频率下的微波晶体管,并得到了用一些易于测量的晶体管参数所描述的噪声系数表达式。通过作了某些简化假设后,噪声系数表达式便可写成只含有一个参量的简化形式,这种形式对工程应用是有益的。考虑到由封装引入的反馈和寄生的影响。为了在测量中将镜频响应的影响考虑进去,对富锐斯公式做了修正。本文还叙述了同时测量增益和噪声系数的方法。提出了直至4千兆赫的理论的实验证明。 The transistor noise theory is applied to microwave transistors at microwave frequencies and the noise factor representation described with some easy-to-measure transistor parameters is obtained. By making some simplifying assumptions, the noise figure expression can be written in a simplified form with only one parameter, which is beneficial for engineering applications. Consider the feedback and parasitics introduced by the package. In order to take into account the effects of the image-frequency response in the measurement, the FURRISS formula was amended. This article also describes ways to measure both gain and noise figure. Proposed experimental proof of theory up to 4 GHz.
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