晶体管噪声相关论文
韩国的Pulsus Technologies公司是专门生产数字式音频设备的一家公司。最近。这家公司生产一种DDC(数字/数字转换器)芯片系列,型......
从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射......
采用0.35μm Bi CMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器。同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响。基于......
期刊
给出了晶体管噪声功率谱复相关系数的定义及其计算公式．并论证了它的三个基本性质，对复相关系数的实部和虚部在不同频段进行了理论分......
低频晶体管噪声种类晶体管的噪声有1/f 噪声,脉冲性噪声,白噪声及分配噪声四种,但是,在低频晶体管中1/f 噪声和脉冲性噪声成了特......
一、引言众所周知,晶体管有放大信号的功能,但当输入交流信号频率升高时,晶体管放大能力要下降,这是所有晶体管的共性.然而实际测......
研制了利用注入多晶硅扩散的一种新的掺杂方法。该方法在低噪声 npn 晶体管的制作中用于基区扩散,其特性有极显著改善。消除了脉动......
砷化镓肖特基势垒场效应晶体管的噪声性能已在理论和实验上作了研究。已经发现,当偏置加于夹断区时,砷化镓场效应晶体管还有另外一......
本文对肖特基势垒场效应晶体管的噪声问题作一综述,并推导其噪声系数公式,同时给出几个计算例子。一、肖特基势垒场效应晶体管的......
三、频率特性参数测量表征晶体管频率的参数有f_α、f_β、f_r和f_max,在这里着重介绍特征频率f_r的意义、测量原理和方法.1.晶体......
在红外系统中,探测器把来自目标的弱辐射信号转换成微弱的电信号.为了不恶化探测器输出的信噪比,前置放大器的噪声必须很低,使红......
系统地概括了晶体管噪声的种类、性质、产生机理和模型,指出了实现晶体管低频低噪声化的途径与工艺技术,简要介绍了国内外低频低噪......
一、引言噪声通常是指电学系统中那些无规则的杂乱的电流起伏,是电子器件的固有属性之一.它决定了用在放大和接收设备中电子器件......
本文中描述用振幅峰值的方法,测量面接触型晶体管OC70,OC71和点接触型晶体管2N32A内窄频带低频率噪声的振幅分布。测量结果证明窄......
DXA3-8型一级大型电子显微镜电子显微镜是一种高级精密的电子光学仪器.广泛应用于物理、化学、生物、医学、冶金等科学研究和工农......
将晶体管的噪声理论应用于微波频率下的微波晶体管,并得到了用一些易于测量的晶体管参数所描述的噪声系数表达式。通过作了某些简......
由于SiGe HBT基于Si工艺,不但具有其低功耗、低噪声、高集成度、高性价比的优点,又能达到可与III-V族HBT相比拟的高的频率特性,在......
提出了一种经济可行的,可用于封锁机场武器的自激随机定时方法,即晶体管热噪声产生随机数,可实现自激随机起爆,同时完成了相应的电......
<正> 一、前言文献[1]中提出并实现了晶体管前置放大器的双最佳低噪声设计。其中要利用晶体管噪声参数fL、a、Rbb’。国内晶体管尚......
