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传统硅材料器件在高温、高压、高开关频率等诸多应用领域受到限制,而新型宽禁带半导体材料（以碳化硅和氮化镓为代表）的出现突破了电力电子器件的发展瓶颈,成为未来功率半导体器件发展的必然趋势。本文介绍了碳化硅材料的优良特性,碳化硅器件的常用类型、应用领域、国内外最新研究进展,最后总结了该器件目前发展存在的问题,并提出建议。