n-CdSe/Fe(CN)_6~(4~-/3~-)光阳极上的光氧化竞争反应及用L-B技术修饰电极的影响

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用旋转环盘电极研究了还原剂K_4Fe(CN)_6与n-CdSe光阳极上的竞争空穴的氧化反应,证明还原剂捕获光生空穴的途径为直接自价带俘获空穴。又利用L-B技术在n-CdSe电极表面修饰硬脂酸二茂铁酯,结果表明还原剂俘获光生空穴的能力增强,电极的稳定系数提高。 The ring-like disk electrode was used to study the oxidation reaction of competing holes on K_4Fe (CN) _6 and n-CdSe photoanode. The way of reducing agent to capture photoproduction holes was to capture holes directly from valence band. The L-B technique was used to modify the surface of n-CdSe electrode. The results showed that the reducing agent could capture photogenerated holes and enhance the stability coefficient of the electrode.
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