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本文将数据信息采掘技术用于纳米In<,2>O<,3>成膜问题研究,试图通过调节可控参数,控制氧化铟半导体薄膜的成膜厚度及薄膜的综合性能.
氧化铟半导体薄膜厚度控制的支持向量回归模型
【摘 要】
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本文将数据信息采掘技术用于纳米InO成膜问题研究,试图通过调节可控参数,控制氧化铟半导体薄膜的成膜厚度及薄膜的综合性能.
【机 构】
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上海大学化学系计算机化学研究室(上海)
【出 处】
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中国化学会2002年学术会议
【发表日期】
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2002年11期
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