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采用0.15μm GaAs PHEMT工艺，设计了一个26-38 GHz单片双平衡星型混频器，本设计改变了星型混频器一贯的混合微波集成电路结构，设计了版图实现单片集成，最后得出电磁仿真结果。此混频器能在中频为DC-12 GHz时，电磁仿真结果达到7-10 dB的变频损耗和15 dB以上的端口隔离。