2GHz线性输出1.5W硅微波功率晶体管研究

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本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于器件内部存在着非线性效应使得输出特性产生了非线性畸变。为了改进器件线性性能,我们采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层材料提高了器件大电流性能。已研制的器件其参数在2GHz下,P_(-1)≥1.5W、线性增益G_p≥7dB、动态线性范围≥20dB,η_(-1)≥40%。 This article describes the bipolar transistor in the large signal due to the existence of non-linear effects within the device makes the output characteristics of nonlinear distortion. In order to improve the linearity of the device, we adopt the high concentration doped base region, thin and highly doped epitaxial layer material to improve the device high current performance. The developed device has the parameters of P _ (- 1) ≥1.5W, linear gain G_p ≥7dB, dynamic linear range ≥20dB and η _ (-1) ≥40% at 2GHz.
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