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采用直流反应磁控溅射方法，在硅衬底制备了高介电HfOxNy薄膜。用椭偏仪研究了后期退火处理对薄膜光学性质的影响，结果表明，薄膜的折射率随退火温度的升高而增加，这主要是由于高温退火导致薄膜内部缺陷减少，使得薄膜松散的内部结构变得更加致密；薄膜的消光系数随退火温度的升高而降低，这是由于因为退火后薄膜内的缺陷减少。光学禁带宽度随退火温度的升高而增加，这是由于退火过程中薄膜中N含量的减少而导致。