英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的MOSFET

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【摘要】

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英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件，诸如HPFC（功率因数校正）级或PWM（咏宽调制）级等能源

【出处】

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中国电子商情：基础电子

【发表日期】

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2009年7期

【关键词】

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技术融合器件高压传统能源效率金属氧化物股份公司功率因数

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英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件，诸如HPFC（功率因数校正）级或PWM（咏宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、

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