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采用直流磁控溅射方法,以Ar/N2(N2/(Ar+N2)=10%)为放电气体,在Si(100)单晶衬底上获得了γ'-Fe4N薄膜样品。利用x射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)研究衬底偏压对γ'-Fe4N薄膜样品的影响。结果表明,随着衬底负偏压的增大,γ'-Fe4N薄膜样品的晶胞参数减小,Fe和N的化合效率与样品的致密度提高,表面缺陷减少,矫顽力降低。