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首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｍｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减少了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属８光电探测器暗电流的有效途径。
低暗电流InGaAs金属-半导体-金属光电探测器
【摘 要】
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首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｍｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减少了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1996年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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