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集群磁流变平面抛光加工硬脆材料可以高效率获得纳米/亚纳米级表面粗糙度，其中集群磁流变效应抛光垫对加工表面的作用力（抛光力）是材料去除的关键因素，搭建了集群磁流变平面抛光三向测力平台，对模拟的集群磁流变抛光加工过程抛光力（切向力 Ft和法向力 Fn）进行了系统试验研究。结果表明，2＇单晶硅片试验条件下集群磁流变平面抛光切向力 Ft最大达到32.25 N、法向力Fn最大达到62.35 N、Ft/Fn值为0.46～0.77；对抛光力影响最大的工艺参数是磁场强度和加工间隙，其次是羰基铁粉与磨料质量分数、磁流变液流