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主要描述了ＧａＮ中施主和受主杂质的能级，氢在掺杂中的作用以及空位的某些特性，同时讨论了该领域未来的研究趋向。
GaN中杂质和缺陷的特性
【摘 要】
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主要描述了ＧａＮ中施主和受主杂质的能级，氢在掺杂中的作用以及空位的某些特性，同时讨论了该领域未来的研究趋向。
【机 构】
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中南工业大学应用物理与热能工程系
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1998年1期
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