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伴随着可移动智能设备、云存储和大数据处理的广泛应用,快速发展的信息产业对下一代更快、更节能的半导体材料提出了更高的要求。碳纳米管电子空穴高迁移率与本征半导体结构使其具有优异的电学性能,有望取代硅成为下一代碳基集成电路的核心材料。
清华大学在原位缠绕超长碳纳米管制备单色碳纳米管线团研究取得重要进展
【摘 要】
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伴随着可移动智能设备、云存储和大数据处理的广泛应用,快速发展的信息产业对下一代更快、更节能的半导体材料提出了更高的要求。碳纳米管电子空穴高迁移率与本征半导体结构
【机 构】
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国家自然科学基金委化学科学部
【出 处】
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前沿科学
【发表日期】
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2016年4期
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