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分析了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Ｐｏｉｓｓｏｎ方程、电流方程及热流方程为基础，采用二维数值分析法，确定了器件内部自升温效应下的温度分布特点，以及决定器件自升温幅度的主要因素。
GaAs MESFET自升温效应的分析
【摘 要】
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分析了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Ｐｏｉｓｓｏｎ方程、电流方程及热流方程为基础，采用二维数值分析法，确定了器件内部自升温效应下的温度分布特点，以及决定器件自升
【机 构】
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浙江大学半导体材料国家重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1999年1期
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