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论述了纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型的研究。通过对该器件建立泊松方程，并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似，得到了这种对称双硅栅MOSFET器件的电流模型。并在不同参数下对该模型进行了模拟，最终得到Ids-Vg曲线。
纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型
【摘 要】
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论述了纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型的研究。通过对该器件建立泊松方程，并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似，得到了这种对称双硅栅MOSFET器件的电流模型。并
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2002年1期
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