势垒电容相关论文
该文提出将交流测量和直流测量相结合的方法来测量晶体管发射结的正向偏压电容.分析了晶体管发射结正向电容随偏压变化的测试结果,......
在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与......
在考虑SiGe HBT的势垒电容时,通常的耗尽层近似不再适用,应考虑可动载流子的影响.在分析研究SiGe HBT载流子输运的基础上,建立了考......
半导体PN结具有电容的性质．在正向直流偏压下，理论计算表明，PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比．实验发现，当正向偏压小于30mV时，这种线......
首先提出了ＰＮ结压变电容特性性表达式，并给制出其曲线，然后导出了ＰＮ结结电容的几个近似计算式，最后通过实例说明了这些近似式在电子技术工......
晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题.文中提出用交流测量和直流测量......
通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特怀和Ｉ－Ｖ特性与般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基......
根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p......
当SiGe HBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.......
在对SiGeHBT（异质结双极晶体管）载流子输运的研究基础上，建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型，发射极延迟时间与发射......
提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电......
研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC......
本文对小尺寸MOS管参数测量中所遇到的沟道效应及静电反馈对阈值电压的影响，热电效应对迁移率的影响，有限载流子飘逸速度产生的沟道......
本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｃ的原理，测度子３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｃ并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合，Ｋ在２－３之间。......
在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖｏｃ的新方法，通过该器件在有光照时的Ｃ－Ｖ曲线与无光照时的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析，发现了该......
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用......
全面地介绍了pn结C—V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式......
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势......
