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研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密度４００￣６００Ａ／ｃｍ＾２。
780nm可见光量子阱半导体激光器
【摘 要】
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研制出的波长为７８０±２ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电流密度４００￣６００Ａ／ｃｍ＾２。
【机 构】
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山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
【出 处】
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山东科学
【发表日期】
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1996年4期
【基金项目】
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山东省科委资助项目
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