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以针刺网胎无纬布为预制体,采用化学气相沉积(CVD)和树脂浸渍/炭化(IC)制成不同密度的炭/炭(C/C)多孔体,然后在温度为1650℃、1800℃时进行熔融渗硅(LSI)制备C/C-SiC复合材料。采用金相显微镜观察材料渗硅前后形貌,并结合熔融渗硅机理进行分析;研究多孔体密度、反应温度等因素对熔渗效果的影响。结果表明,低密度的C/C多孔体开孔率高,比表面积大,液态Si易于渗入,生成更多SiC,致密效率高;1800℃时进行熔融渗硅效果更好,所得材料的弯曲强度最高可达225MPa。