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以针刺网胎无纬布为预制体，采用化学气相沉积（CVD）和树脂浸渍／炭化（IC）制成不同密度的炭／炭（C／C）多孔体，然后在温度为1650℃、1800℃时进行熔融渗硅（LSI）制备C／C-SiC复合材料。采用金相显微镜观察材料渗硅前后形貌，并结合熔融渗硅机理进行分析；研究多孔体密度、反应温度等因素对熔渗效果的影响。结果表明，低密度的C／C多孔体开孔率高，比表面积大，液态Si易于渗入，生成更多SiC，致密效率高；1800℃时进行熔融渗硅效果更好，所得材料的弯曲强度最高可达225MPa。