【摘 要】
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采用倒装和电镀源桥结构研制了一种10GHz下输出功率为2W和5W的内匹配GaAsFET,并联两只5W器件实现了X波段7W固体放大器。
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采用倒装和电镀源桥结构研制了一种10GHz下输出功率为2W和5W的内匹配GaAsFET,并联两只5W器件实现了X波段7W固体放大器。
An internal matching GaAsFET with output power of 2W and 5W at 10GHz and a parallel 7W solid state amplifier with two 5W devices have been developed by using flip-chip and plated-source bridge structures.
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