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提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同，该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理论上对电路的可行性进行了分析，采用CSMC0．6μmCMOS工艺的仿真结果表明该电路具有110．3dBDΩ的增益，105kHz的带宽，电路功耗仅为200μW。
IrDA中高增益CMOS共栅前置放大器
【摘 要】
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提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同，该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理论上对电路的可行性进行了分析，采用CSMC0．6μ
【机 构】
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哈尔滨工业大学MEMS中心
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2009年3期
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