共栅相关论文
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RF CMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5~......
基于SMIC 0.181μm CMOS工艺,设计一款可用于1GHz-2GHz射频接收机前端的低噪声放大器。放大器利用共栅结构实现输入阻抗匹配,采用......
提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同，该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理......
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器（LNA）.该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征：在28.5～39 GH......
现代CMOS工艺的发展使得在CMOS工艺上设计射频IC前端成为可能。但在传统CMOS工艺集成的片上螺旋电感品质因数（Q）偏低，大大影响其性能......
当今,随着无线通信技术的迅速发展,人们对无线通信的移动性、高数据传输率的需求日益增加。低噪声放大器(LNA)作为射频接收机前端......
SiGe技术将能带工程和应变工程引入了Si器件和集成电路。利用SiGe／Si能带的不连续性，可以设计电子（或空穴）量子阱；利用生长SiGe／Si赝晶产......
文章详细分析了共源共栅级联型低噪声放大器的优化设计方法.文章首先简要的介绍共源共栅MOSFET低噪声放大器优化设计步骤.在此基础......
