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纳米带是继纳米线、纳米管之后，最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了Ga2O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析，纳米带宽约500nm，厚度约10nm，宽度/厚度比大于20。选区电子衍射（SAED）分析表明，产物是纯净的Ga2O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构，如纳米片等，证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后，根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。