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,Fabrication and characterization of the normally-off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semicondu
【机 构】
:
School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China“,”Key Labora
【出 处】
:
中国物理B(英文版)
【发表日期】
:
2016年3期
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