论文部分内容阅读
研究了S-枪磁控反应溅射制备的A1N薄膜的晶体结构,组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了A1N与GaAs,SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了A1N/GaAs,Sion/GaAs经800℃快速热退火前后薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效,界面应力大;而A1N薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的扩散。表明A1N对GaAs集