KINK效应相关论文
采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电......
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有......
本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应......
初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了k......
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置......
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋......
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defin......
研究了氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)发生 Kink效应的物理机制,并进行了实验测试.测试结果表明,当第一次扫描、漏极电压......
GaN材料作为新型第三代半导体材料，具有击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优良特点，在高温、高频、大功率应用方面具有非......
该论文主要的研究内容包括:1、完成了CMP设备的机械结构和电气控制系统的设计,研制成功一台实验型的CMP设备.并使用该设备进行了二......
红外焦平面读出电路需要工作在深低温条件下，代工厂商提供的常温SPICE模型不能有效地进行深低温电路的模拟，特别是温度在50K以下，完全......
研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件......
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT).该poly-Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成.超薄沟道区可有效降低沟......
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽(FD)SOI MOSFET的新结构,并分析了其性能与结构参数的关系.通过在厚膜SOI MOSFET靠近背栅的......
利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系......
在深低温下(T＜50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds＞4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正......
采用10keVX射线研究了部分耗尽S01MOSFETs的总剂量辐射效应．实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET......
研究了浅沟槽隔离（STI）工艺的各主要工步步骤：沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化。使用器件模拟软件Medic......
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置......
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介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触......
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defin......
从kink效应产生的物理机理出发，介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法．一种是基于面电荷的方法，另一种......
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有......
本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对......
利用二维器件模拟软件MEDICI对AlGaAs InGaAs GaAs赝配高电子迁移晶体管器 (PHEMT)件进行了仿真 ,研究了PHEMT器件的掺杂浓度与电......
利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号Kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了......
介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该......
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件......
InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有优异的电子迁移率、噪声、增益和功率特性,成为最具竞争力的高频半导体器件之一,广泛应用于国......
随着集成电路发展到深亚微米技术时代,传统体硅CMOS器件在材料技术、器件理论、器件结构以及制作工艺等方面存在诸多问题,使得基于......
器件在工作时不可避免的会受到应力的作用,GaN作为一种压电材料,受到应力后由于压电效应会使样品的性能受到影响,而长时间的应力会......
